晶体硅电池各种衰减特性的技术进展【相约3.23】

晶体硅电池各种衰减特性的技术进展。随着晶体硅太阳电池技术的不断发展人们认识到，晶体硅太阳电池的衰减也面临着新的问题。原来在传统常规技术中一些不突出的问题变得突出了，原来不存在的衰减问题出现了。

➤ 我认为这里有一个基本的原理：提高效率意味着钝化效果变得更好，而更好的钝化结构意味着更容易受到外界条件的破坏，这是一枚硬币的两个面。例如： PERC电池背面钝化使得效率提高，也招致钝化特性容易受到硅晶体中杂质的攻击，从而发生复合。
双面PERC很好的解决了背面受光和钝化的问题，却带来了Na离子对背面钝化层的攻击，使背面PID失效。
HJT电池采用了非晶硅进行了更好的钝化，但是这种钝化层也有一个界面重构的问题，并且或许也存在界面的长期光照失效的问题。
从光伏系统的长期使用来看，寿命的提高，以及在有限的寿命中性能不发生大幅度衰退，将有利于成本的降低。成为继提高效率和降低系统成本之后的第三只箭。

➤ 本期“暾说微讲堂”分为【三说】：
第一说 “P型晶硅太阳电池光衰研究及技术进展”
第二说 “N型晶硅太阳电池光衰研究及技术进展”
第三说 “双面晶硅太阳电池组件PID衰减及实证”
我们聘请了国内光伏行业一流的专家学者为我们分享技术开发和研究成果，以及产业化实施的进展，并答疑解惑。”